2. Классификация полупроводниковых диодов. Система обозначения. Условные графические обозначения полупроводниковых диодов.

3. Вольт-амперная характеристика (ВАХ) идеального и реального диода. Объемное сопротивление p-n-перехода. Отличие ВАХ диодов, выполненных из различных материалов (Ge, Si, GaAs).

4. Статическое сопротивление диода и дифференциальное сопротивление: физический смысл, геометрическая интерпретация.

5. Влияние температуры на прямую и обратную ветви ВАХ диода.

6. Виды пробоя в p-n-переходе. Влияние температуры на величину напряжения пробоя.

7. Диффузионная и барьерная емкости p-n-перехода. Зависимость емкостей p-n-перехода от напряжения на нем. Схема замещения диода.

8. Выпрямительные диоды. Параметры.

9. Использование выпрямительных диодов: схемы выпрямителей, схема умножителя напряжения.

10. Переходные процессы в диодах с низким уровнем инжекции.

11. Переходные процессы в диодах с высоким уровнем инжекции.

12. Импульсные диоды. Параметры. Способы уменьшения длительности переходных процессов.

13. Стабилитроны: принцип действия, параметры, разновидности. Использование стабилитронов (параметрический стабилизатор напряжения).

14. Варикапы: принцип действия, параметры. Использование варикапов.

15. Диод с барьером Шотки (ДБШ). Выпрямляющие и омические контакты. Отличие ВАХ ДБШ и диода с p-n-переходом.

16. Гетеропереход: устройство, зонная энергетическая диаграмма. Отличие гетерогенного и гомогенного переходов. Использование гетеропереходов.

17. Математическая модель диода и алгоритм определения ее параметров: обратного тока насыщения , коэффициента неидеальности , сопротивления базы по экспериментальной ВАХ.

18. Математическая модель диода и алгоритм определения ее параметров: контактной разности потенциалов и коэффициента .

19. Вырожденные полупроводники, туннельный эффект, ВАХ туннельного диода (ТД).

20. ВАХ туннельного диода (ТД) и зонные энергетические диаграммы при различных значениях напряжения на ТД.

21. Характеристики и основные параметры ТД. Схема замещения ТД.

22. Устройство и принцип действия биполярного транзистора (БТ).

23. Режимы работы и схемы включения биполярного транзистора.

24. Токи в БТ. Основные соотношения. Связь между статическими коэффициентами h_21Э и h_21Б. Обратный ток коллекторного перехода. Начальный сквозной ток транзистора.

25. Зонная энергетическая диаграмма БТ в равновесном состоянии и в активном режиме работы.

26. Статические ВАХ БТ в схеме с ОБ.

27. Статические ВАХ БТ в схеме с ОЭ.

28. Влияние температуры на характеристики БТ.

29. Система H-параметров БТ, их физический смысл. Формальная эквивалентная схема.

30. Определение H-параметров БТ по семействам ВАХ.

31. Система Y-параметров БТ, их физический смысл. Формальная эквивалентная схема.

32. Физическая Т-образная эквивалентная схема БТ в схеме с ОБ. Связь H-параметров БТ с элементами эквивалентной схемы.

33. Физическая Т-образная эквивалентная схема БТ в схеме с ОЭ. Связь H-параметров БТ с элементами эквивалентной схемы.

34. Работа БТ на высоких частотах. Частотные параметры БТ. Способы повышения рабочей частоты БТ. Гетеропереходный БТ.

35. Максимальные и максимально допустимые параметры БТ.

36. Составной биполярный транзистор (схема Дарлингтона)

37. Классификация, система обозначения и условное графическое обозначение БТ.

38. Работа БТ с нагрузкой. Коэффициенты усиления по напряжению, по току, по мощности.

39. Ключ на БТ: принципиальная схема, передаточная характеристика, статический режим работы.

40. Ключ на БТ: принципиальная схема, динамический режим работы.

41. Способы повышения быстродействия ключей на БТ.

42. Устройство и принцип действия полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Определение напряжения отсечки и насыщения в полевом транзисторе с управляющим p-n-переходом. Статические характеристики, условное графическое обозначение.

43. Устройство, особенности работы МДП-транзистора со встроенным каналом. Режимы обеднения и обогащения в транзисторе со встроенным каналом и его статические характеристики, условное графическое обозначение.

44. Устройство, особенности работы МДП-транзисторов с индуцированным каналом. Физические процессы образования канала в транзисторе с индуцированным каналом и его статические характеристики, условное графическое обозначение.

45. Полевой транзистор как линейный четырехполюсник, дифференциальные параметры.

46. Эквивалентная схема и частотные свойства ПТ.

47. Влияние температуры на характеристики ПТ, термостабильная точка. Классификация, система обозначения и условные графические обозначения ПТ.

48. Полевой транзистор с барьером Шотки. Полевой транзистор с высокой подвижностью электронов.

49. Динистор (диодный тиристор): устройство, принцип действия, характеристики и параметры.

50. Тринистор (триодный тиристор): устройство, принцип действия, характеристики и параметры.

51. Симисторы (симметричные тиристоры): устройство, принцип действия, характеристики и параметры.

52. Переходные процессы и импульсные свойства тиристоров.

53. Использование тиристора: схема регулятора мощности переменного напряжения.

54. Биполярный транзистор с изолированным затвором: устройство, назначение.

55. Устройство и принцип действия светодиодов, основные характеристики и параметры.

56. Расчет схемы, задающей ток светодиода.

57. Фоторезисторы, фотодиоды: принцип действия, основные характеристики и параметры.

58. Фототранзисторы, фототиристоры: принцип действия, основные характеристики и параметры.

59. Оптопары: устройство, типы, достоинство и недостатки, характеристики и область применения.

60. Устройство вакуумного диода. Принцип электростатического управления электронным потоком. Закон степени трех/вторых. Статические характеристики и дифференциальные параметры.