.Мероприятие 4. ОКР «Разработка сверхмощных квазинепрерывных лазерных линеек и матриц на основе гетероструктур для боковой накачки твердотельных лазеров».
|
№
п/п
|
Наименование
программных мероприятий
|
Срок выполнения
|
Объем финансирования
млн. росс. руб.
|
Ожидаемые результаты
|
1
|
2
|
3
|
4
|
5
|
1.
|
ОКР «Разработка ряда СВЧ монолитных интегральных схем (МИС) миллиметрового диапазона длин волн на основе псевдоморфных и метаморфных гетероструктур соединений A3B5»
|
2011- 2014 гг.
|
108,00
|
Опытные образцы комплектов МИС мм- диапазона для систем радиолокации и связи:
-усилитель 30-36 ГГц c коэффициентом усиления 13 дБ и выходной мощность 17 дБм;
-преобразователь частоты 90-93 Ггц с полосой пропускания 3 ГГц и потерями преобразования не более12 дБ.
Конструкторская (КД) и технологическая документация (ТД) с литерой «О1» на МИС мм диапазона.
Библиотека стандартных элементов, методов и правил проектирования МИС.
|
2
|
ОКР «Разработка мощных СВЧ транзисторов и СВЧ монолитных интегральных схем для приёмо-передающих модулей активных фазированных решеток на основе гетероструктур AlGaN/GaN с двойным электронным ограничением»
|
2011- 2014 гг.
|
118,00
|
Опытные образцы СВЧ-транзисторов (диапазон рабочих частот не менее 0-2 ГГц, удельный коэффициент усиления 5.5 дБ/мм; удельная выходная мощность насыщения 5 Вт/мм; выходная мощность насыщения в непрерывном режиме 40 Вт) и МИС усилителей мощности (диапазон рабочих частот 9-10 ГГц; коэффициент усиления 13 лБ; выходная мощность 38 дБм) для АФАР X-диапазона.
Конструкторская документация с литерой «О1» на транзисторы и МИС.
|
3
|
ОКР «Разработка мощных непрерывных диодных лазеров на основе гетероструктур и модулей с волоконным выводом на их основе
для высокоэффективной торцевой накачки твердотельных лазеров».
|
2011- 2014 гг.
|
26,00
|
Опытный образец твердотельного лазера квазинепрерывного режима работы с λ = 1.06 мкм, частотой повторения импульсов 10 ÷ 30 кГц, длительностью импульсов 5 ÷ 30 нсек, средней мощностью 1 ÷ 10 Вт для дальнометрических и информационных систем.
Конструкторская документация с литерой «О1» на твердотельный лазер квазинепрерывного режима работы.
|
4
|
ОКР «Разработка сверхмощных квазинепрерывных лазерных линеек и матриц на основе гетероструктур для боковой накачки твердотельных лазеров»
|
2011- 2014 гг.
|
16,00
|
Оптическая схема и энергетический расчет квантрона с диодной накачкой. Опытный образец квантрона с диодной накачкой
Протокол тестирования опытного образца квантрона с диодной накачкой.
Разработка оптической схемы накачки и расчет энергетических характеристик квантрона с максимальной выходной мощностью YAG:Nd3+ лазера на основе квантрона при номинальном токе накачки 25А - 10 Вт.
Создание стенда для сборки, наладки и тестирования квантронов с диодной накачкой.
|
5
|
ОКР «Разработка квазинепрерывных (импульсных) твердотельных лазеров с диодной накачкой на основе полупроводниковых гетероструктур для технологических применений»
|
2011- 2014 гг.
|
42,00
|
Стенд для сборки, наладки и тестирования лазеров с диодной накачкой.
Опытный образец твердотельного лазера с диодной накачкой для технологических применений с длиной волны генерации 532 нм, энергией в импульсе 0,8 мДж, средней выходной оптической мощностью 5 Вт соответственно, и качеством лазерного пучка
М2 <2.
Опытный образец твердотельного лазера с диодной накачкой с длиной волны генерации 266 нм, энергией в импульсе 1,5 мДж, средней выходной оптической мощностью 0,02 Вт.
Конструкторская документация с литерой «О1» на твердотельные лазеры для технологических применений.
|
6
|
ОКР «Разработка лазерных излучателей для дальномеров, работающих в безопасном для глаз диапазоне спектра (1,5 мкм) с использованием лазерных источников накачки на основе полупроводниковых гетероструктур»
|
2011-2014 гг.
|
18,00
|
Блок управления лазерным источником накачки.
Опытные образцы двух базовых блоков дальномеров с основными параметрами:
– дальности 10000 м и 5000 м;
– точности ± 5 м.
Конструкторская документация с литерой «О1» на базовые блоки дальномеров.
|
7
|
ОКР «Разработка мощных полупроводниковых импульсных лазеров ближнего ИК диапазона на квантоворазмерных гетероструктурах InGaAs/AlGaAs и приборов на их основе»
|
2011- 2014 гг.
|
10,00
|
Испытательный стенд для проверки оптических характеристик полупроводниковых лазерных излучателей и их сортировки по партиям.
Опытные образцы мощных высокочастотных импульсных источников питания (200 А, до 10 кГц, 50-100 нс).
Опытные образцы лазерных диодных сборок:
– диапазон длин волн излучения: 800 – 1060 нм;
– пиковая мощность выходного излучения: не менее 10 Вт;
– длительность импульса: 0,05 - 300 мкс;
– частота следования импульсов: до 10 кГц;
Опытные образцы оптических систем инфракрасной подсветки (дальнометрии):
– предельная дальность: 1 – 2,5 км;
– диапазон длин волн излучения: 800 – 1600 нм;
– длительность импульса: 10 – 100 нс;
– частота следования импульсов: до 10 кГц;
– срок службы: более 109 импульсов.
Конструкторская документация с литерой «О1» на импульсных источники питания, лазерных диодных сборки и оптические системы.
|
8
|
ОКР «Разработка полупроводниковых лазеров и светодиодов на среднюю ИК-область спектра для экологического мониторинга и медицинской диагностики и QWIP-матриц для фотоприёмных модулей»
|
2011- 2014 гг.
|
50,00
|
Опытные образцы оптических анализаторов в средней ИК области для определения концентраций углекислого газа (0.03 – 80%), измерение содержания воды в нефти (0.1 – 80 %) и других химических веществ.
Конструкторская документация с литерой «О1» на оптические анализаторы в средней ИК области.
Опытные образцы модулей на основе QWIP–матриц для фотоприемных систем среднего ИК-диапазона на длину волны 8-10 мкм с удельной обнаружительной способностью, не менее 1х1010 Вт-1смГц1/2.
|
9
|
НИОКР «Разработка конструкции и технологии молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур и интегральных полупроводниковых лазерных конвертеров зеленого спектрального диапазона на квантовых точках селенида кадмия с накачкой излучением источников света на основе нитрида галлия»
|
2011- 2014 гг.
|
26,00
|
Экспериментальные образцы низкопороговых лазеров с квантовыми точками CdSe зелёного спектрального диапазона с внутренней квантовой эффективностью более 70% и импульсной мощностью более 5 Вт.
Экспериментальный образец III-N/II-VI лазерного конвертера с накачкой излучением промышленно изготавливаемых инжекционных источников света на основе InGaN (эффективность преобразования излучения лазера накачки более 10%; мощность более 0.15 Вт).
Программа и методики испытаний экспериментальных образцов лазерных конвертеров.
Отчет по патентным исследованиям.
|