Научно - Информационный портал



  Меню
  


Смотрите также:



 Главная   »  
страница 1



Белорусский государственный университет


УТВЕРЖДАЮ

Декан факультета радиофизики и электроники

________________С. Г. Мулярчик

________________

Регистрационный № УД-______/уч.

ФИЗИКА ТОНКИХ ПЛЕНОК И МАЛЫХ ЧАСТИЦ
Учебная программа для специальности
1-31 04 03 Физическая электроника

2010 г.
Составители:



Н.Н. Никифоренко, доцент кафедры физической электроники и нанотехнологий Белорусского государственного университета, кандидат физико-математических наук, доцент.


Рецензенты:

В.В. Нелаев, профессор кафедры микро- и наноэлектроники Учреждения образования «Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники», доктор физико-математических наук, профессор;

В.Л. Козлов, доцент кафедры квантовой радиофизики и оптоэлектроники Белорусского государственного университета, кандидат технических наук, доцент.

РЕКОМЕНДОВАНА К УТВЕРЖДЕНИЮ:

Кафедрой физической электроники и нанотехнологий Белорусского государственного университета

(протокол № 9 от 09 апреля 2010 г.);
Учебно-методической комиссией факультета радиофизики и электроники

(протокол № 8 от 13 апреля 2010 г.).

Ответственный за выпуск: Н.Н. Никифоренко

ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА
Учебная программа дисциплины «Физика тонких пленок и малых частиц» разработана для студентов специальности 1-31 04 03 Физическая электроника, специализации 1-31 04 03 03 Наноэлектроника и нано-технологии в соответствии с требованиями типового учебного плана специальности 1-31 04 03 Физическая электроника.

Целью изучения дисциплины является ознакомление студентов с основными аспектами современных представлений о механизме формирования диспергированных наноразмерных и сплошных тонких пленок, о взаимосвязи параметров и свойств пленок с условиями их формирования. Рассматриваются также наиболее перспективные вакуумно-плазменные технологии нанесения тонкопленочных покрытий различного назначения, включая методы оперативного контроля основных параметров пленок.

Основная задача дисциплины состоит в том, чтобы обеспечить глубокую подготовку студентов в понимании механизмов технологических процессов нанесения тонкопленочных покрытий, а также выработать у студентов навыки практического применения знаний. Важной составляющей курса является лабораторный практикум, который предусматривает практическое изучение электрофизических параметров различных тонких пленок, основ наиболее перспективного и эффективного спектрофотометрического метода контроля параметров пленочных покрытий, а также вакуумно-плазменного технологического процесса.

Для изучения дисциплины «Физика тонких пленок и малых частиц» необходимы знания по физике в объеме курса общей физики (молекулярная физика, электричество и магнетизм, оптика, атомная и ядерная физика). В результате изучения дисциплины студент должен



знать:

– физические основы современных наукоемких ионно-плазменных технологий нанесения диспергированных наноразмерных и сплошных тонких пленок;



уметь:

– применять полученные знания для совершенствования технологических процессов и разработки новых способов, применять спектрофотометрический метод оперативного контроля основных параметров тонкопленочного покрытия.



Программа дисциплины рассчитана на 76 часов; аудиторное количество часов – 50, из них: лекции – 32 часа, лабораторные занятия – 18 часов.

ПРИМЕРНЫЙ ТЕМАТИЧЕСКИЙ ПЛАН


№ п/п

Название темы

Лекции

Практ. занятия

Лаб. занятия

Всего

1

Введение

2







2

2

Теория зародышеобразования и формирования пленки

10







10

3

Свойства тонких пленок

8




4

12

4

Технология тонкопленочных покрытий

10




4

14

5

Основы спектрофотометрического контроля параметров тонких пленок

2




10

12




Итого

32




18

50



СОДЕРЖАНИЕ УЧЕБНОГО МАТЕРИАЛА
1. Введение. Понятие тонкопленочного состояния вещества. Малые частицы, кластеры, основные определения. Применение тонких пленок в электронике, микроэлектронике, оптике, машиностроении, медицине, приборостроении и других областях науки и техники.

2. Теория зародышеобразования и формирования пленки. Падение частиц на подложку, процессы при взаимодействии атомов, молекул и радикалов с поверхностью. Процесс зародышеобразования. Критические зародыши. Роль поверхностной и объемной диффузии. Время жизни критического зародыша. Коалесценция островков, 2D, 3D- механизмы роста. Критическая температура конденсации. Температура изменения механизма конденсации. Температура возникновения преимущественной ориентации. Этапы и четыре стадии формирования пленки. Образование дефектов в процессе роста пленок.

3. Свойства тонких пленок. Адгезия. Износостойкость и коэффициент трения. Напряжения. Упругость, микротвердость и прочность. Электрические свойства пленок, отрицательный ТКС наноразмерных диспергированных пленок, проводимость сплошных пленок. Особые свойства пленок с наноструктурными включениями. Высокочастотные характеристики тонких пленок.

4. Технология тонкопленочных покрытий. Техника и методы получения конденсата. Химическое осаждение из парогазовой фазы. Плазменные технологии тонких пленок, газовый разряд низкого давления, пространственные потенциалы и катодное распыление. Элементарные процессы в газоразрядной плазме. Плазмохимическое осаждение. Ионно-плазменное нанесение покрытий. Ионно-лучевое осаждение.
5. Основы спектрофотометрического контроля параметров тонких пленок. Интерференция света в тонких пленках. Определение параметров пленок спектрофотометрическим методом. Современные спектрофотометрические системы оперативного контроля. Другие способы оперативного контроля процесса формирования пленочных покрытий.

ИНФОРМАЦИОННО-МЕТОДИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ
Основная литература

  1. Майселл, Л. Технология тонких пленок. Т. 2. / Под ред. Л. Майселла,
    Р. Гленга. Пер. с англ. под. ред. М. И. Елинсона, Г.Г. Смолко. М.: Сов. радио, 1977.

  2. Бурмаков, А.П. Физические основы технологии микроэлектроники. Учеб. пособие. / А.П. Бурмаков, П.И. Гайдук, Ф.Ф. Комаров, А.В. Леонтьев. Мн.: БГУ, 2002.

  3. Петров, Ю.С. Физика малых частиц. / Ю.С. Петров. М.: Наука, 1986.

  4. Данилин, Б.С. Применение низкотемпературной плазмы для нанесения тонких пленок. / Б.С. Данилин. М.: Энергоатомиздат, 1989.

  5. Крылова, Т.Н. Интерференционные покрытия. Оптические свойства и методы исследования. / Т.Н. Крылова. Л.: Машиностроение, 1973.


Дополнительная литература

  1. Достанко, А.П. Плазменные процессы в производстве изделий электронной техники. В 3-х т. / Под ред. А.П. Достанко. Мн.: ФУАинформ, 2000.

  2. Комник, Ю.Ф. Физика металлических пленок / Ю.Ф. Комник.
    М.: Атомиздат, 1979.


Примерный перечень лабораторных работ

  1. Изучение температурной зависимости электросопротивления тонких пленок.

  2. Изучение основ спектрофотометрического определения параметров тонких пленок.

  3. Изучение оперативного метода спектрофотометрического контроля процессов формирования тонкопленочных покрытий.

  4. Изучение плазмохимического процесса выращивания пленок оксинитрида железа в ВЧ-разряде низкого давления.




страница 1

Смотрите также: