1. 
   Появление адсорбированных атомов.
   
2. 
   Образование субкритических кластеров разного размера.
   
3. 
   Образование зародышей критического размера (этап зародышеобразования).
   
4. 
   Рост этих зародышей до сверхкритических размеров с результирующим обеднением адатомами зон захвата вокруг зародышей. Образование критических зародышей на площадях не обедненных адатомами.
   
5. 
   Зародыши соприкасаются друг с другом и срастаются, с образованием нового островка, занимающего площадь меньше, чем сумма площадей объединившихся зародышей, это приводит к увеличению свободной поверхности подложки.
   
6. 
   Атомы адсорбируются на этих освободившихся участках, и наступает процесс «вторичного» образования зародышей.
   
7. 
   Большие островки срастаются, оставляя каналы или полости в пленке.
   
8. 
   Каналы и полости заполняются в результате вторичного зародышеобразования и в конце концов образуется сплошная пленка.
   

Рис. 2.5. Этапы формирования пленки.

- образование зародышей и островковой структуры (1 – 4 этапы);

- срастание или коалесценция островков (5 и 6 этапы);

- образование каналов (7 этап);

- формирование непрерывной пленки (8 этап).
Образование зародышей и островковой структуры.

Наименьшие зародыши, которые можно заметить в электронный микроскоп имеют размер  20 Å. Зародыши растут в трех измерениях, но рост вдоль поверхности подложки как правило значительно более быстрый чем по нормали. Это обусловлено доминирующей ролью в процессе роста поверхностно диффундирующих адсорбированных атомов в сравнении с ролью атомов приходящих на зародыш непосредственно из паровой фазы. Для Ag или Au, конденсирующихся на подложку MoS₂ при 400 С, концентрация первоначальных зародышей составляет 510¹⁰ см^-2, а минимальная диффузионная длина  500 Å.

По мере роста островков степень округления после срастания островков уменьшается. Значительные изменения формы ограничиваются областями в непосредственной близости от места соединения. Поэтому островки вытягиваются и образуют сетчатую структуру, в которой конденсированный материл разделен длинными, узкими каналами неправильной формы, шриной 50 – 200 Å. Зарастание каналов происходит по механизму образования вторичных зародышей, их роста и при прикосновении к стенкам канала образуются мостики, которые быстро разрастаются. В результате образуется пленка со множеством мелких дырок, зарастание которых происходит по аналогичному механизму через образования вторичных зародышей, их срастания, присоединения к пленке, очищение дырки и вновь образования вторичных зародышей и т.д. до полного заполнения дырки.

На стадии роста пленки, характеризующейся образованием каналов и дырок, вторичные зародыши и островки объединяются с массивными областями относительно быстро, менее чем за 0,1 с.
Формирование сплошной пленки

Общий механизм роста поликристаллических слоев похож на механизм роста эпитаксиальных пленок, за исключением того, что срастающиеся островки в этом случае имеют произвольную относительную ориентацию, подчиняющуюся случайному закону распределения. Во время срастания происходит рекристаллизация, поэтому размер зерен растет.

Эпитаксия – это ориентированный или монокристаллический рост пленки. Эпитаксия значительно представлена в технологии микроэлектроники и имеет две основные разновидности:

- автоэпитаксия, ориентированный или монокристаллический рост материала на подложке из того же материала;

- гетероэпитаксия, это ориентированный или монокристаллический рост материала на подложке из другого материала.

Эпитаксиальное выращивание весьма сложный и многофакторно обусловленный процесс. Основные условия, как следует из теоретических и экспериментальных исследований, следующие:

- высокая температура подложки – малые температуры подложки уменьшают отношение скорости эпитаксиального зарождения к скорости неориентированного роста; увеличение температуры активирует процесс осаждения атомов в позициях, сопряженных с кристаллической решеткой подложки, приводит к увеличению поверхностной и объемной диффузии, способствующих сглаживанию несоответствия, которые возникают при росте соседних зародышей; величина температуры эпитаксии зависит от многих параметров критичных для механизма формирования пленки;

- низкие пересыщения – при низких пересыщениях только отдельные места могут действовать как центры зарождения, тогда как при высоких пересыщениях вероятно более беспорядочное, случайное зарождение.

Дислокации и дефекты упаковки.

Дислокации и дефекты упаковки вакансионного и междоузельного типов являются наиболее часто встречающимися дефектами в поликристаллических и монокристаллических пленках. Плотность дислокаций обычно составляет 10¹⁰ - 10¹¹ см^-2.

Основные механизмы появления дислокаций:

1) при сращивании двух островков с кристаллическими решетками, слегка повернутыми относительно друг друга, образуется субграница, состоящая из дислокаий;

2) т.к. подложка и пленка обычно имеют разные параметры решетки, это приводит к смещению атомов пленки и подложки друг относительно друга, разным в разных островках, что может привести к образованию дислокаций при срастании островков;

3) напряжения в пленках могут привести к возникновению дислокаций на краях дырок и границе с подложкой;

4) дислокации, оканчивающиеся на поверхности подложки, могут продолжаться в пленку;

5) при коалесценции островков с дефектами упаковки.

Если измерять плотность дислокаций в процессе роста, окажется, что большинство дислокаций вводиться в пленку на стадии образования каналов и дырок (рис. 2.8). Большинство дислокаций на этой стадии роста появляется из-за несоответствия решеток пленки и подложки и вероятно возникающими напряжениями и соответствующими упругими деформациями.

Рис.2.8. Качественная зависимость плотности дислокаций от толщины пленок золота, осажденных на подложке MoS₂ при 300 С.

Вакансии могут возникать по разным причинам, в том числе и из-за замуровывания при быстрой конденсации.

Примеси очевидно определяются технологической чистотой процесса.

Природа междоузельных дефектов не менее многофакторна, чем и природа вакансий.
Границы зерен.

В общем случае, в тонких пленках границы зерен занимают большую площадь, чем в массивных образцах материала, т.к. средний размер зерна в пленках меньше. Размер зерна зависит от условий осаждения и температуры отжига (рис. 2.9).

Рис.2.9. Зависимость размера кристаллитов от толщины пленки d, температуры подложки T_S, температуры отжига T_отж и скорости осаждения v.

Площадь поверхности и шероховатость.

Экспериментально наблюдалось, что наибольшая площадь поверхности, измеренная с помощью адсорбции газа, получается при нанесении пленки в условиях низкой поверхностной подвижности атомов, т.е. при низких температурах подложки. Показано, что в этих условиях площадь поверхности увеличивается с толщиной пленки линейно и отношение площади поверхности к геометрической площади может быть больше 100 (рис. 2.10).

Рис.2.10. Зависимость отношения площади поверхности к геометрической площади от толщины пленки никеля при их нанесении на подложку с температурой около 25 С; 1 – нанесение в атмосфере азота при давлении 1 Торр, 2 – нанесение в высоком вакууме.

Одним из основных факторов, определяющих долговечность и надежность покрытия, является адгезия, т.е. сила связи с подложкой.

Простой и эффективный метод определения величины адгезии заключается в наложении на поверхность пленки специальной испытательной липкой ленты для последующего исследования процесса отрыва. При слабой адгезии лента отрывается от подложки вместе с пленкой, при сильной – пленка остается полностью на подложке. Для количественной оценки адгезии применяют метод липкой ленты и метод царапания иглой под определенной нагрузкой, методы имеет ряд методических сложностей.

Величина адгезии очевидно определяется природой связи частиц пленки и подложки. Физическая адсорбция определяет слабую адгезию, хемосорбция – сильную. Активные по отношению к кислороду металлы образуют химические связи с подложками, например со стеклом, что приводит к повышению адгезии (рис 3.1).

Рис.3.1. Изменение адгезии во времени для пленок золота, алюминия и железа, напыленных на стекло.

При использовании пленок в машиностроении важное значение имеют их износостойкость и коэффициент трения, которые определяются, структурой и составом пленочного покрытия.

Трибологические фрикционные испытания полученных пленок часто проводятся по методу “палец-поверхность” на трибометрах в условиях сухого трения. Коэффициент трения и износостойкость пленок определяются при возвратно-поступательном скольжении индентора. Скорость движения столика с образцом составляет обычно 1 - 10 мм/с, закругленный индентор выполняется из твердого сплава ВК8, нагрузка на индентор при испытаниях составляет как правило до 1 Н.

Для описания изменения коэффициента трения с ростом пути трения, когда твердый индентор с радиусом закругления R внедряется в гомогенную однородную плёнку, применяется модель по Боудену-Тейбору (Bowden-Tabor):

где µ_а и µ_p – коэффициенты трения, определяющиеся соответственно сопротивлением срезу поверхностных соединений и сопротивлением «пропахивания» (пластического оттеснения) менее твердого материала индентором, А – фактическая площадь контакта, S – предел прочности на сдвиг, W – нормальная нагрузка, R – радиус индентора, H – твердость пленок.

При данных условиях испытаний с большой достоверностью можно сказать, что радиус индентора, твердость пленки, предел прочности на сдвиг пленки являются постоянными величинами. Следовательно, коэффициент трения зависит только от площади фактического контакта индентора с поверхностью пленки. Вследствие одинаковых условий трибоконтакта, изменение площади фактического контакта и объемного износа пленки за единицу времени постоянно, поэтому изменение коэффициента трения является линейной зависимостью от времени истирания или пути трения. Следовательно, угол наклона и длина пути линейного участка зависимости коэффициента трения определяются величиной объемного износа пленки за единицу времени или износостойкостью пленки.

С ростом объемного износа пленки и соответственно уменьшения ее износостойкости будет увеличиваться угол наклона и уменьшаться длина пути трения участка линейной зависимости коэффициента трения от пути трения.

Следует отметить, что радиус кривизны индентора (~1 мм) намного превышает толщину пленки, следовательно, изменение значения коэффициента трения с ростом пути трения будет иметь линейный характер до того момента, пока индентор не достигнет подложки.

Напряжения.

Напряжения могут быть сжимающими (пленка как бы стремиться расшириться параллельно поверхности), в предельном случае она может изогнуться выпукло.

Растягивающие напряжения в пределе могут привести к разрыву пленки.

Для температур осаждения от 50 до сотен градусов по Цельсию типичные величины растягивающих напряжений в металлических пленках 10⁸ – 10¹⁰ дин/см², причем для тугоплавких металлов значения близки к верхнему пределу, а для мягких (медь, золото, алюминий) – к нижнему. Для диэлектрических пленок напряжения частло оказываются сжимающими с несколько меньшими значениями.

Напряжения могут изгибать достаточно тонкую подложку, что лежит в основе ряда методов измерения напряжений.

Причины возникновения напряжений плохо изучены, предпологаются следующие:

- термическая, возникающие при охлаждении;

- влияние подложки, несоответствие структур подложки и пленки;

- напряжения поверхности из-за изменения межатомных расстояний у поверхности пленки;

- граница кристаллитов движется из пленки.

Во многих случаях пленки оказываются прочнее (примерно в 200 раз), чем объемный материал, что связано предположительно с особыми свойствами поверхности, о чем свидетельствуют экспериментальные данные представленные на рис 3.2, т.е. прочность возрастает с увеличением роли поверхности.

Рис.3.2. Зависимость предела разрушения от толщины напыленной никелевой пленки.

Твердость не выяснена по методическим причинам.

Из теории следует, что при низких значения температуры T << , где

Для многих металлов дебаевская температура примерно равна комнатной температуре или несколько ниже ее, поэтому при T > 25 С температурная зависимость удельного сопротивления будет приблизительно линейной, что позволяет измерить ТКС (температурный коэффициент сопротивления) .

 = R / RT.
Влияние точечных дефектов.

Атом примеси или вакансия как правило имеют эффективный электрический заряд существенно отличающийся от основного заряда металла, поэтому он будет служить дополнительным источником рассеяния электронов. Удельное сопротивление повышается с увеличением концентрации примесей и достигает максимума при 50 % концентрации

В массивных материалах повышение удельного сопротивления, обусловленное растворенными примесями не превышает 10-кратного значения.

Рис. 3.3. Зависимость удельного сопротивления от компонентного состава сплава серебро – золото.

Рис. 3.4. Зависимость удельного сопротивления тантала от содержания примесного кислорода.

ТКС очень тонких пленок редко приближается к объемному значению, чаще такие пленки обладают большим отрицательным ТКС. Особый механизм проводимости очень тонких диспергированных (островковых, зернистых по структуре) пленок очевидно определяется их строением. На рис. 3.5 показаны кривые зависимости сопротивления от температуры для прерывистых пленок трех металлов. Имеет место хорошее соответствие этих экспериментальных данных выражению для сопротивления пленок

R = A₀ T^–e^{ / kT},

где A₀,  и  – постоянные отдельной пленки.

Рис. 3.5. Зависимость сопротивления от температуры прерывистых пленок трех металлов.

Отрицательные температурные коэффициенты для островковых пленок обусловлены энергией, необходимой для преодоления расстояния между островками. Однако отрицательные температурные коэффициенты обычно проявляются и в металлических сплошных пленках толщиною и в несколько тысяч ангстрем. Отрицательные температурные коэффициенты не проявляются в сплошных пленках до тех пор пока значительно не проявляются примеси. Чем больше отклонение удельного сопротивления ленки от объемного сопротивления, тем больше отрицательный температурный коэффициент. Это объясняется геттерными свойствами металлов при их осаждении и миграцией примесей к границам зерен, кроме того, хорошо известно, что диффузия по границам зерен протекает на несколько порядков быстрее, чем по всему объему пленки, поэтому со временем может иметь место загрязнение границ зерен из атмосферы или других внешних источников.

Эксперименты показали, что за счет изменения содержания примеси в слоях металла в ходе формирования пленки вследствие уменьшения концентрации остаточных газов в вакуумной камере, т.е. когда вначале растет «грязная» пленка с большим отрицательным температурным коэффициентом сопротивления, а затем относительно чистая с положительным температурным коэффициентом сопротивления, то при определенной толщине ТКС пленки будет равен нулю, что весьма важно при изготовлении пленочных резисторов.

Влияние окисления по границам зерен было подробно изучено на примере тантала. Пленки, полученные методом катодного распыления в относительно чистых условиях (подача на подложку отрицательного потенциала > 300 В в значительной мере подавляет поглощающую способность), при термообработке в вакууме (Т = 250 С) лишь незначительно увеличивали удельное сопротивление. При нагревании на воздухе их удельное сопротивление увеличивалось более чем в 2 раза. Для аналогичных пленок, осажденных в атмосфере, содержащей 0,1 % кислорода, термообработка и в вакууме и на воздухе приводит к значительному росту сопротивления. ТКС при этом менялся весьма характерным образом (рис. 3.6), подтверждая влияние границ зерен на механизм проводимости.

Рис. 3.6. Зависимость ТКС танталовых пленок от термообработки на воздухе при Т = 250 С.

Отрицательные ТКС пленок определяются их зернистостью, т.е. пленка электрически эквивалентна цепочке конденсаторов, поэтому ее полное сопротивление на переменном токе меньше, чем на постоянном и разница тем больше, чем меньше температура (рис. 3.7).

Рис. 3.7. Зависимость сопротивления на постоянном (1) и переменном с частотой 1 МГц токе (2) прерывистой пленки платины от температуры.

Аналогичные закономерности наблюдаются и для сплошных пленок с окисленными границами зерен. Во всех случаях на высокочастотную проводимость влияет очевидно не только «межзерновая» емкость, но и распределенная емкость пленки, емкость на единицу длины пленки имеет величину 0,1 – 1 пФ/см.

Отжиг, спекание и окисление.

Отжиг структурных дефектов приводит к понижению сопротивления.

Спекание маленьких зерен сплошной пленки в более крупные зерна приводит к образованию островковой, диспергированной пленки с резким повышением ее сопротивления.

Окисление также приводит к повышению сопротивления, что рассматривалось выше.

Одно из центральных мест в технологии СБИС занимают процессы нанесения (осаждения) тонких пленок и тонкопленочных структур, выполняющих определенную роль как при работе ИС, так и на этапах ее создания. По своему назначению пленочные покрытия можно разделить следующим образом:

• 
  токопроводящие системы (системы металлизации), состоящие в общем случае из контактного, проводящего, барьерного и адгезионного слоев, а также слоев межэлементной металлизации, металлизации затворов, металлизации для присоединения кристалла;
  
• 
  диэлектрические пленки, выполняющие функции изоляции элементов ИС, разделения уровней металлизации, несущего основания для межэлементных соединений, подзатворного диэлектрика, защиты и пассивации кристалла;
  
• 
  технологически вспомогательные пленки, наносимые в качестве масок для локального травления, легирования, окисления и т. д.
  

Возросшие требования к степени интеграции, надежности и характеристикам ИС привели к необходимости использования наряду с традиционными (технологии термического нанесения и химического осаждения из парогазовой фазы) новых плазменных технологий нанесения покрытий. Плазменные технологии можно разделить на следующие группы: плазмохимическое, ионно-плазменное и ионно-лучевое осаждение. Поскольку применение традиционных технологий достаточно широко описано в научно-технической литературе, кратко остановимся на аспектах, позволяющих сравнивать традиционные и плазменные технологии.