страница 1 | страница 2 страница 3 страница 4
3.3 Полупроводниковые диоды
Содержание темы. Классификация полупроводниковых приборов. Полупроводниковый диод. Структура, вольт-амперная характеристика, основные параметры полупроводниковых диодов. Выпрямительные, лавинные, высокочастотные и импульсные диоды. Стабилитроны, варикапы.
Цель изучения темы. Изучить принцип действия, основные параметры и ВАХ диода.
Вышеизложенные вопросы изложены в литературе (табл. 3.3.1):
Таблица 3.3.1 - Литература к разделу 3.3
№ литературы
|
№ тома
|
№ раздела
|
№ части
|
№ главы
|
№ параграфа
|
№ страницы
|
3
|
-
|
-
|
2
|
4
|
4.2
|
288 ÷ 290
|
4
|
-
|
-
|
-
|
5
|
5.3
|
81 ÷ 88
|
5
|
-
|
-
|
-
|
1
|
1.3
|
18 ÷ 20
|
Для практического закрепления материала рекомендуется по одной из указанной литературы решение следующих задач (табл. 3.2.2):
Таблица 3.3.2.- Задачи к разделу 3.3
№ литературы
|
№ главы
|
№ параграфа
|
№ задачи, эксперимента, упражнения (файлa)
|
2
|
9
|
9.1
|
1 (с9_011); 2 (с9_012); 3 (с9_012);
4 (с9_013); 5 (с9_014).
|
9.2
|
1 (с9_021); 2 (с9_021); 3 (с9_022).
|
9.3
|
1 (с9_031); 2 (с9_032).
|
9.4
|
1 (с9_041).
|
Продолжение таблицы 3.3.2.- Задачи к разделу 3.3
№ литературы
|
№ главы
|
№ параграфа
|
№ задачи, эксперимента, упражнения (файлa)
|
2
|
9
|
9.5
|
1 (с9_051); 2 (с9_051); 3 (с9_051); 4 (с9_052).
|
9.6
|
1 (с9_061); 2 (с9_062); 3 (с9_063);
4 (с9_064); 5 (с9_065); 6 (с9_066).
|
2
|
9
|
9.7
|
1 (с9_071); 2 (с9_071);
3 (с9_071); 4 (с9_072).
|
9.8
|
1 (с9_080) ÷ 8 (с9_087);
1 (с9_120) ÷ 18 (с9_137).
|
9.9
|
1 (с9_160.сс) ÷ 10 (с9_169.сс).
|
9.10
|
1 (с9_200) ÷ 9 (с9_208).
|
9
|
1
|
1.1
|
1.1 ÷ 1.13
|
1.2
|
1.14 ÷ 1.19
|
Контрольные вопросы:
-
Что такое полупроводниковый диод?
-
Изобразите и объясните ВАХ диода?
-
Что такое электрический пробой?
-
Что такое лавинный пробой?
-
Что такое полевой пробой?
-
Что такое тепловой пробой?
-
Назовите основные параметры выпрямительных диодов.
-
Какие существуют разновидности полупроводникового диода?
-
Что такое стабилитрон?
-
Что такое лавинные диоды?
-
Что такое варикап?
3.4 Транзисторы
Содержание темы. Биполярный транзистор. Устройство биполярного транзистора, принцип действия. Параметры и основные характеристики биполярного транзистора, ток рекомбинации, обратный ток коллекторного перехода, выходная вольт-амперная (коллекторная) характеристика, входная характеристика. Эквивалентные схемы транзисторов.
Полевой транзистор. Устройство полевого транзистора, принцип действия. Полевые транзисторы МДП-типа. Стоковые характеристики полевых транзисторов. Параметры полевых транзисторов: напряжение отсечки, выходное сопротивление, крутизна характеристики.
Цель изучения темы. Изучить принцип действия, основные параметры, выходные, входные и стоковые характеристики биполярного и полевого транзистора.
Вышеизложенные вопросы изложены в литературе (табл. 3.4.1):
Таблица 3.4.1 - Литература к разделу 3.4
№ литературы
|
№ тома
|
№ раздела
|
№ части
|
№ главы
|
№ параграфа
|
№ страницы
|
1
|
-
|
-
|
-
|
3
|
3.1 ÷ 3.9
|
50 ÷ 75
|
4
|
4.1 ÷ 4.3
|
75 ÷ 94
|
5
|
5.1 ÷ 5.4
|
94 ÷ 109
|
3
|
-
|
-
|
2
|
3
|
3.1 ÷ 3.4
|
247 ÷ 272
|
Продолжение таблицы 3.4.1 - Литература к разделу 3.4
№ литературы
|
№ тома
|
№ раздела
|
№ части
|
№ главы
|
№ параграфа
|
№ страницы
|
4
|
-
|
-
|
-
|
5
|
5.4 ÷ 5.11
|
88 ÷ 122
|
6
|
6.1 ÷ 6.8
|
143 ÷ 168
|
5
|
-
|
-
|
-
|
1
|
1.4 ÷ 1.6
|
20 ÷ 83
|
6
|
-
|
-
|
-
|
1
|
1.1 ÷ 1.2
|
5 ÷ 10
|
1.4.1 ÷ 1.4.5
|
19 ÷ 24
|
2
|
2.1 ÷ 2.5
|
36 ÷ 43
|
Для практического закрепления материала рекомендуется по одной из указанной литературы решение следующих задач (табл. 3.4.2):
Таблица 3.4.2.- Задачи к разделу 3.4
№ литературы
|
№ главы
|
№ параграфа
|
№ задачи, эксперимента, упражнения (файлa)
|
2
|
10
|
10.1
|
1 (с10_001); 2 (с10_001); 3 (с10_002);
4 (с10_001, с10_003); 5 (с9_004).
|
10.2
|
1 (с10_005); 2 (с10_006); 3 (с10_007);
4 (с10_008); 5 (с9_009).
|
10.3
|
1 (с10_010); 2 (с9_011).
|
10.4
|
10.1.1 ÷ 10.1.8
|
10.5
|
10.2.1(с10_201) ÷ 10.2.10 (с10_210);
10.3.1(с10_301) ÷ 10.3.6 (с10_306);
10.4.1(с10_401) ÷ 10.4.8 (с10_408);
|
3
|
3
|
Задачи и
упражнения
|
3.1 ÷ 3.9
|
9
|
1
|
1.3
|
1.20 ÷ 1.39
|
1.4
|
1.40 ÷ 1.43
|
Контрольные вопросы:
-
Что такое униполярный транзистор?
-
Что такое биполярный транзистор?
-
Назовите режимы работы биполярного транзистора?
-
Какие напряжения приложены к р-n переходам транзистора на пологом и крутом участках выходной характеристики.
-
Объясните принцип действия полевого транзистора.
-
В чем заключается основные конструкционные отличия биполярного и полевого транзистора?
-
Сравните выходные и стоковые характеристики биполярного и полевого транзистора и укажите основное различие в их характере?
-
В чем заключается преимущество полевого транзистора перед биполярным?
-
Что такое крутизна и к какому транзистору этот параметр относится?
3.5 Тиристоры
Содержание темы. Тиристор. Определение, устройство, вольт-амперная характеристика тиристора. Понятие однооперационного и двухоперационного тиристора. Параметры тиристора: импульсное напряжение, прямой ток, прямое напряжение, обратный ток, ток удержания, управляющий ток отпирания, управляющее напряжение отпирания, время включения. Разновидности тиристора: динистор, симистор.
Цель изучения темы. Изучить принцип действия, параметры и ВАХ тиристора.
Вышеизложенные вопросы изложены в литературе (табл. 3.5.1):
Таблица 3.5.1 - Литература к разделу 3.5
№ литературы
|
№ тома
|
№ раздела
|
№ части
|
№ главы
|
№ параграфа
|
№ страницы
|
5
|
-
|
-
|
-
|
1
|
1.7 ÷ 1.8
|
34 ÷ 39
|
Контрольные вопросы:
-
Что такое тиристор?
-
Сколько слоев проводимости может быть у тиристора?
-
Сколько и какие электроды имеет тиристор?
-
Что такое однооперационный тиристор?
-
В чем заключается принцип действия двухоперационного тиристора?
-
Назовите разновидности тиристора?
-
Назовите области применения тиристора?
3.6 Оптоэлектронные приборы
Содержание темы. Определение оптоэлектроники. Элементная база оптоэлектроники: оптоизлучатели, фотоприемники, оптоэлектронные приборы, светодиоды. Принципы действия оптоизлучателей, фотоприемников, оптоэлектронных приборов, светодиодов. Оптопара.
Цель изучения темы. Изучить конструкцию, элементную базу, принцип действия оптоэлектронных приборов.
Вышеизложенные вопросы изложены в литературе (табл. 3.6.1):
Таблица 3.6.1 - Литература к разделу 3.6
№ литературы
|
№ тома
|
№ раздела
|
№ части
|
№ главы
|
№ параграфа
|
№ страницы
|
1
|
-
|
-
|
-
|
13
|
13.1 ÷ 13.3
|
253 ÷ 275
|
3
|
-
|
-
|
3
|
7
|
7.1 ÷ 7.3
|
583 ÷ 589
|
8
|
8.1 ÷ 8.2
|
591 ÷ 596
|
9
|
9.1 ÷ 9.3
|
597 ÷ 613
|
5
|
-
|
-
|
-
|
1
|
1.10
|
45 ÷ 49
|
6
|
-
|
-
|
-
|
1
|
1.4.6
|
24 ÷ 25
|
Контрольные вопросы:
-
Что такое оптоэлектроника?
-
Что такое интегральная оптика?
-
Что является элементной базой интегральной оптики?
-
Назовите области перспективного применения интегрально-оптических схем?
-
Объясните принцип действия светоизлучающего диода, фотодиода, фототранзистора и фототиристора.
-
В чем заключается преимущество оптронов перед приборами с электрической связью?
3.7 Интегральные микросхемы
Содержание темы. Определение интегральной микросхемы. Элемент и компонент – как часть микросхемы. Плотность упаковки. Критерий сложности микросхемы. Микросхематехника. Цифровые и аналоговые микросхемы. Преимущества электронной аппаратуры на интегральных микросхемах. Особенности полупроводниковых интегральных микросхем. Конструктивно-технологические типы интегральных микросхем: полупроводниковые, совмещенные и гибридные микросхемы.
Технология изготовления полупроводниковых микросхем: эпитаксия, диффузия примесей, ионное легирование, термическое окисление, травление, нанесение тонких пленок. Проводники соединений и контакты в полупроводниковых микросхемах. Литография. Сборка полупроводниковых микросхем. Технология изготовления гибридных микросхем.
Цель изучения темы. Изучить основные параметры, конструкционные особенности, разновидности, основы технологии изготовления интегральных микросхем.
Вышеизложенные вопросы изложены в литературе (табл. 3.7.1):
Таблица 3.7.1 - Литература к разделу 3.7
№ литературы
|
№ тома
|
№ раздела
|
№ части
|
№ главы
|
№ параграфа
|
№ страницы
|
1
|
-
|
-
|
-
|
2
|
2.1 ÷ 2.12
|
15 ÷ 50
|
3
|
-
|
-
|
2
|
4
|
4.1 ÷ 4.4
|
285 ÷ 297
|
5
|
5.1 ÷ 5.8
|
301 ÷ 356
|
6
|
6.1 ÷ 6.4
|
365 ÷ 379
|
5
|
-
|
-
|
-
|
1
|
1.9
|
40 ÷ 45
|
6
|
-
|
-
|
-
|
2
|
2.7.4
|
46 ÷ 47
|
Для практического закрепления материала рекомендуется по одной из указанной литературы решение следующих задач (табл. 3.7.2):
Таблица 3.7.2.- Задачи к разделу 3.7
№ литературы
|
№ главы
|
№ параграфа
|
№ задачи, эксперимента, упражнения (файлa)
|
3
|
4
|
Задачи и
упражнения
|
4.1 ÷ 4..4
|
5
|
5.1 ÷ 5..2
|
Контрольные вопросы:
-
Что такое элементы и компоненты интегральных схем?
-
Что такое степень интеграции схемы?
-
Перечислите основные технологические процессы первичной обработки полупроводниковых материалов?
-
Что такое процесс легирования полупроводника?
-
Перечислите основные технологические процессы сборки интегральных схем.
-
Назовите основные принципы классификации интегральных схем.
3.8 Усилительные устройства
Содержание темы. Усилитель, усилительный каскад. Инвертирующий усилитель. Усилители на биполярным транзисторе. Усилители на биполярных транзисторах с общей базой (ОБ), с общим эммитером (ОЭ). Усилитель на полевом транзисторе. Резисторный усилитель на полевом транзисторе. Истоковый повторитель.
Обратные связи в усилителях. Диаграмма Найквиста. Типы обратной связи. Отрицательная и положительная обратная связь. Эммитерный повторитель.
Дифференциальный усилитель. Дифференциальный усилитель на линейных интегральных микросхемах.
Операционный усилитель. Идеальный операционный усилитель, неинвертируемый операционный усилитель, инвертируемый операционный усилитель. Операционные схемы. Коррекция операционных усилителей. Избирательные усилители. Генераторы синусоидального напряжения.
Каскады усиления мощности. Однотактный каскад усиления класса В. Двухтактный каскад усиления мощности класса В.
страница 1 | страница 2 страница 3 страница 4
|